专利详情

专利名称	一种二硼化镁超导材料的制备方法
申请号	CN201110366943.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN102515189A	公开（授权）日	2012.06.27
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	马衍伟;王成铎;王栋樑;高召顺;张现平;姚超;王春雷
主分类号	C01B35/04(2006.01)I	IPC主分类号	C01B35/04(2006.01)I;C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	一种二硼化镁超导材料的制备方法至一种二硼化镁超导材料的制备方法	法律状态	公开
说明书摘要	一种二硼化镁超导材料的制备方法，将B粉(纯度为90～99.99wt％)和Mg粉加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐，在氩气气氛下进行球磨处理。或在B粉、Mg粉中加入如纳米C、纳米SiC、碳氢化合物、碳水化合物掺杂体。还可以将B粉加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐在氩气气氛下进行预球磨处理，然后将预处理的B粉和Mg粉一起加入密度大于5g/cm3的磨球和球磨罐在氩气气氛下进行球磨处理。球磨时间为1～150h，转速为100～1000r/min，球料比为1∶1～100∶1。将经球磨的粉末压片，得到块材，或将粉末装入金属管中，经过塑性加工得到线材或带材，然后将得到的块材、线材或带材在流动氩气气氛中烧结，最终制得MgB2超导材料。