大应力碳化硅晶体的初加工方法
- 申请号：CN201110453604.8
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
- 公开(公开)号：CN102514110A
- 公开(公开)日：2012.06.27
- 法律状态：公开
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专利详情
| 专利名称 | 大应力碳化硅晶体的初加工方法 | ||
| 申请号 | CN201110453604.8 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN102514110A | 公开（授权）日 | 2012.06.27 |
| 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈辉;庄击勇;王乐星;黄维;杨建华;施尔畏 |
| 主分类号 | B28D5/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B28D5/00(2006.01)I;B28D5/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 大应力碳化硅晶体的初加工方法 至大应力碳化硅晶体的初加工方法 | 法律状态 | 公开 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。本发明的方法利用简单的灌胶处理即能有效避免晶体在初加工过程中开裂，操作简便、耗时短、成本低。 | ||
交易流程
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