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绝缘栅型双极晶体管

  • 申请号:CN201320123024.7
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司
  • 公开(公开)号:CN203134807U
  • 公开(公开)日:2013.08.14
  • 法律状态:
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专利详情

专利名称 绝缘栅型双极晶体管
申请号 CN201320123024.7 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN203134807U 公开(授权)日 2013.08.14
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所;上海联星电子有限公司;江苏中科君芯科技有限公司 发明(设计)人 张文亮;朱阳军;田晓丽;胡爱斌
主分类号 H01L29/739(2006.01)I IPC主分类号 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I
专利有效期 绝缘栅型双极晶体管 至绝缘栅型双极晶体管 法律状态
说明书摘要 本实用新型公开了一种绝缘栅型双极晶体管,包括:第一导电类型的漂移区、第一导电类型高浓度掺杂微穿通层、第二导电类型的集电极、第一导电类型的发射极、第二导电类型的基区、第二导电类型低掺杂浓度的浮空区、沟道栅极及假栅极;所述假栅极呈柱状结构或条状结构,且条状结构的宽度小于栅极沟槽的宽度。本实用新型提供的绝缘栅型双极晶体管,通过减小假栅沟槽宽度或改变其形状,来减小假栅沟槽区所占芯片面积,进而减小沟槽区域所占面积与芯片总面积的比例,不仅能减小硅片的翘曲度,还可以有效减小器件的寄生电容,减小器件开关时间及开关损耗。

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