专利详情

专利名称	基于闪存-SRAM流水线的存储电路
申请号	CN201220652404.5	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203133810U	公开（授权）日	2013.08.14
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	肖喜中;王跃明;郎均慰;陈杨;王晟玮;庄晓琼;鲍智康
主分类号	G06F3/06(2006.01)I	IPC主分类号	G06F3/06(2006.01)I
专利有效期	基于闪存-SRAM流水线的存储电路至基于闪存-SRAM流水线的存储电路	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种基于闪存-SRAM流水线的存储电路。该电路包括相机模块、FPGA主控模块、SRAM缓存模块和闪存存储模块，电路系统工作时，相机模块产生的数据流经由FPGA主控模块调度，以流水线的方式依次写入闪存存储模块以及SRAM缓存模块中，并不断重复此过程，并不一次性写入SRAM缓存模块内；在相机模块不产生数据流的间歇期内，FPGA主控模块通过时序调度将SRAM缓存模块内的数据转移至闪存存储模块中。借助于SRAM的持续性高速数据吞吐能力，该系统避开了闪存的编程等待过程，既实现了持续性数据缓存，又使得实际缓存容量能达到数倍于系统所采用的SRAM缓存容量。在减小布线密度的同时又降低了成本，也保持了对数据速率的自适应性。