专利详情

专利名称	一种半导体结构及其制造方法
申请号	CN201210022557.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103247624A	公开（授权）日	2013.08.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱慧珑;骆志炯;尹海洲
主分类号	H01L27/088(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/088(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构及其制造方法至一种半导体结构及其制造方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种半导体结构，包括衬底、栅堆叠、基底区以及源/漏区，其中，所述栅堆叠位于所述基底区之上，所述源/漏区位于所述基底区内，所述基底区位于所述衬底之上；在所述基底区和所述衬底之间存在支撑隔离结构，其中，部分所述支撑隔离结构与所述衬底相连接；在所述基底区和所述衬底之间存在空腔，其中，所述空腔由所述基底区、衬底以及支撑隔离结构构成；在所述栅堆叠、基底区和支撑隔离结构的两侧存在应力材料层。相应地，本发明还提供了一种半导体结构的制造方法。本发明利于抑制短沟道效应，减小寄生电容和漏电流，增强源/漏区的陡直性，以及向沟道提供良好的应力效果。