专利详情

专利名称	四结级联太阳电池的制作方法
申请号	CN201310196952.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103247722A	公开（授权）日	2013.08.14
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	四结级联太阳电池的制作方法至四结级联太阳电池的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种四结级联太阳电池的制作方法，采用InP作为支撑衬底，首先在InP衬底上制备与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池；然后在InGaAsP/InGaAs双结电池上制备一InP键合层，并在所述InP键合层上键合一GaAs键合层；最后在GaAs键合层上制备与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池。本发明在继承以往两结级联太阳电池光电转换效率相对较高、稳定、寿命长的基础上，制备得到的四结单片高效太阳电池可以获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。