专利详情

专利名称	一种非易失性存储器及其制备方法
申请号	CN201210026223.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103247629A	公开（授权）日	2013.08.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	刘明;许中广;朱晨昕;霍宗亮;谢常青
主分类号	H01L27/115(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I
专利有效期	一种非易失性存储器及其制备方法至一种非易失性存储器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种非易失性存储器及其制备方法，该存储器包括：硅衬底；在该硅衬底上重掺杂的源区和漏区；在该源区和漏区之间载流子沟道上形成的栅介质层；以及在该栅介质层之上形成的栅电极。其中栅介质层由在该硅衬底沟道之上依次形成的隧穿氧化层、电荷存储层和电荷阻挡层构成，且该电荷存储层为金属纳米晶存储层。本发明提供的非易失性存储器及其制备方法，综合了高k材料和核壳型纳米晶的优点，该存储器具有高速低压，优良的保持特性和疲劳特性，可以有效提高器件的性能，具有工艺灵活，设备简单，成本低廉等优点。