专利详情

专利名称	PNP结构的激光光伏电池及其制备方法
申请号	CN201310038717.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103247635A	公开（授权）日	2013.08.14
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	赵春雨;董建荣;于淑珍;赵勇明;李奎龙;孙玉润;曾徐路;杨辉
主分类号	H01L27/142(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/142(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	PNP结构的激光光伏电池及其制备方法至PNP结构的激光光伏电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种PNP结构的激光光伏电池，所述光伏电池包括依次形成于半绝缘衬底上反向P/N结、N型导电层、P/N结电池、P型窗口层和P型接触层，所述反向P/N结包括依次形成于所述半绝缘衬底上的P型层和N型层，所述P/N结电池包括沿远离半绝缘衬底方向依次设置的N型吸收层和P型吸收层。本发明还公开了一种激光光伏电池的制备方法。本发明有效地解决了半绝缘衬底光照下导致的漏电问题，制作的光伏电池具有并联电阻高、漏电小和转换效率高的优点，同时降低了器件对GaAs衬底绝缘性能的要求。