一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用
- 申请号：CN201310127529.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院合肥物质科学研究院
- 公开(公开)号：CN103247673A
- 公开(公开)日：2013.08.14
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用 | ||
| 申请号 | CN201310127529.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103247673A | 公开（授权）日 | 2013.08.14 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 张晔 |
| 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用 至一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种基于双量子阱谐振隧穿型的npn三极管及其应用，发射极与基极之间是双量子阱型的。本发明用于高灵敏度的THz(远红外线又称亚毫米波)传感器，如果与时序控制深度的多个量子阱和CMOS(0&1)器件组合可以得到空间耦合电荷CCD亚毫米波照相机等有广阔的应用。 | ||
交易流程
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