专利详情

专利名称	半导体存储器件及其访问方法
申请号	CN201210031886.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103247627A	公开（授权）日	2013.08.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	朱正勇;骆志炯
主分类号	H01L27/108(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I
专利有效期	半导体存储器件及其访问方法至半导体存储器件及其访问方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种半导体存储器件及其访问方法，其中半导体存储器件包括氧化物异质结晶体管，所述氧化物异质结晶体管包括氧化物衬底；位于氧化物衬底上的氧化物薄膜，其中氧化物衬底和氧化物薄膜之间的界面层表现出二维电子气的特性；位于氧化物薄膜上并且与界面层电连接的源电极和漏电极；位于氧化物薄膜上的前栅；以及位于氧化物衬底下表面上的背栅，其中，氧化物异质结晶体管的源电极和漏电极分别与用于执行读取操作的第一字线和第一位线相连接，前栅和背栅分别与用于执行写入操作的第二字线和第二位线相连接。该半导体存储器件是1T配置的存储器件，其结构简单，并且提高了集成度。