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一种低成本颜色可调的低辐射窗槛墙膜系及其制备方法

  • 申请号:CN201310148800.3
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海技术物理研究所
  • 公开(公开)号:CN103243885A
  • 公开(公开)日:2013.08.14
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种低成本颜色可调的低辐射窗槛墙膜系及其制备方法
申请号 CN201310148800.3 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103243885A 公开(授权)日 2013.08.14
申请(专利权)人 中国科学院上海技术物理研究所 发明(设计)人 陆卫;陈飞良;俞立明;王少伟;刘星星;王晓芳;简明;陈效双
主分类号 E04F13/077(2006.01)I IPC主分类号 E04F13/077(2006.01)I;B32B33/00(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B37/02(2006.01)I
专利有效期 一种低成本颜色可调的低辐射窗槛墙膜系及其制备方法 至一种低成本颜色可调的低辐射窗槛墙膜系及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种低成本颜色可调的低辐射窗槛墙膜系及其制备方法。该膜系自透明基底向上依次包括镀制在透明基底上的下层氮化硅薄膜、可见光吸收薄膜、金属薄膜以及上层氮化硅保护膜。本发明的膜系在可见光范围对太阳光的平均反射率在5%~30%,而辐射率小于10%。同时本发明的膜系在保持对可见光低反射、红外低辐射率前提下,还具有外观颜色可按需求进行调节的特点,丰富多彩的外观颜色可更好地实现了窗槛墙对建筑的美化效果。由于采用了上、下层氮化硅保护膜夹心结构,本发明的膜系还具备可钢化特性。本发明的颜色可调的低辐射窗槛墙膜系可直接通过工业化磁控溅射制备方法在大面积透明基底上连续镀制,易于实现低成本、大规模工业化生产。

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