专利详情

专利名称	硅腐蚀局部终止层制作方法
申请号	CN201210024545.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103241705A	公开（授权）日	2013.08.14
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	尚海平;焦斌斌;刘瑞文;陈大鹏;李志刚;卢迪克
主分类号	B81C1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B81C1/00(2006.01)I
专利有效期	硅腐蚀局部终止层制作方法至硅腐蚀局部终止层制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种硅腐蚀局部终止层制作方法，包括：在含硅的衬底中形成双槽结构，双槽结构之间的衬底构成硅基热沉；对双槽结构底部进行垂直离子注入；执行高温激活和扩散工艺，使得注入的离子在双槽结构底部形成闭合的重掺杂区，所述重掺杂区包围硅基热沉的底部，构成硅腐蚀局部终止层。依照本发明的方法，使用垂直离子注入、经高温激活和扩散工艺在双深槽底部间形成闭合重硼掺杂硅区，利用腐蚀溶液对重掺杂硅区的腐蚀速率大幅度下降特性，实现腐蚀溶液腐蚀硅的腐蚀局部终止层，最终实现完整的硅基热沉制备。其工艺简单、与传统微细加工工艺兼容、并可以自由选择腐蚀终止区、缓解KOH溶液释放工艺中对于硅腐蚀表面粗糙度的要求等。