
一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用
- 申请号:CN201310181817.9
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所;北京科技大学
- 公开(公开)号:CN103242360A
- 公开(公开)日:2013.08.14
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用 | ||
申请号 | CN201310181817.9 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN103242360A | 公开(授权)日 | 2013.08.14 |
申请(专利权)人 | 中国科学院化学研究所;北京科技大学 | 发明(设计)人 | 于贵;张卫锋;王丽萍;罗皓;刘云圻 |
主分类号 | C07F7/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C07F7/08(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I |
专利有效期 | 一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用 至一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种新型可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用。该含硫原子的并五苯衍生物的结构式如式Ⅰ-1或式Ⅰ-2所示。本发明提供的合成路线简洁高效;原料简单易得;合成方法具有普适性,可以推广应用到含各种取代基的线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物合成中;该类化合物是具有较大的π-共轭平面,很好的溶解性可用于溶液法制备高迁移率的OFET器件;该类化合物具有较低的最高占用分子轨道能级(HOMO),空气中稳定性好,有利于得到空气中稳定的高迁移率和高开关比的OFET器件;以本发明的实施例线形可溶性含硫原子的并五苯衍生混合物ADT-TES为有机半导体层制备的OFET的迁移率(μ)和开关比较高(μ最高为2.3×10-4cm2V-1s-1,开关比大于104),在OFET中具有一定的应用前景。 |
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