欢迎来到喀斯玛汇智科技服务平台

服务热线: 010-82648522

首页 > 专利推荐 > 专利详情

一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用

  • 申请号:CN201310181817.9
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所;北京科技大学
  • 公开(公开)号:CN103242360A
  • 公开(公开)日:2013.08.14
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
  • 立即咨询

专利详情

专利名称 一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用
申请号 CN201310181817.9 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103242360A 公开(授权)日 2013.08.14
申请(专利权)人 中国科学院化学研究所;北京科技大学 发明(设计)人 于贵;张卫锋;王丽萍;罗皓;刘云圻
主分类号 C07F7/08(2006.01)I IPC主分类号 C07F7/08(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I
专利有效期 一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用 至一种线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开了一种新型可溶性含硫原子的并五苯衍生物及其制备方法与应用。该含硫原子的并五苯衍生物的结构式如式Ⅰ-1或式Ⅰ-2所示。本发明提供的合成路线简洁高效;原料简单易得;合成方法具有普适性,可以推广应用到含各种取代基的线形可溶性含硫原子的并五苯衍生物合成中;该类化合物是具有较大的π-共轭平面,很好的溶解性可用于溶液法制备高迁移率的OFET器件;该类化合物具有较低的最高占用分子轨道能级(HOMO),空气中稳定性好,有利于得到空气中稳定的高迁移率和高开关比的OFET器件;以本发明的实施例线形可溶性含硫原子的并五苯衍生混合物ADT-TES为有机半导体层制备的OFET的迁移率(μ)和开关比较高(μ最高为2.3×10-4cm2V-1s-1,开关比大于104),在OFET中具有一定的应用前景。

交易流程

  • 01 选取所需
    专利
  • 02 确认专利
    可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更
    成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书

平台保障

1、源头对接,价格透明

2、平台验证,实名审核

3、合同监控,代办手续

4、专员跟进,交易保障

  • 用户留言
暂时还没有用户留言

求购专利

专利交易流程

  • 01 选取所需专利
  • 02 确认专利可交易
  • 03 签订合同
  • 04 上报材料
  • 05 确认变更成功
  • 06 支付尾款
  • 07 交付证书
官方客服(周一至周五:8:30-17:30) 010-82648522