专利详情

专利名称	一种臭氧调控纳米碳质薄膜光电性能及图形化的方法
申请号	CN201310156354.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103241709A	公开（授权）日	2013.08.14
申请（专利权）人	中国科学院金属研究所	发明（设计）人	杜金红;袁江潭;苏阳;马来鹏;裴嵩峰;成会明
主分类号	B82B1/00(2006.01)I	IPC主分类号	B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期	一种臭氧调控纳米碳质薄膜光电性能及图形化的方法至一种臭氧调控纳米碳质薄膜光电性能及图形化的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及纳米碳质薄膜的器件制作工艺，具体为一种利用臭氧处理对石墨烯、碳纳米管及其复合薄膜的光电性能进行调控并对其图形化的方法，适用于基于石墨烯或碳纳米管薄膜的电子器件及生物化学传感器等。该方法通过调节臭氧的处理温度、流量及时间，在常压下实现对纳米碳质薄膜电学和光学性能的调控。利用光刻工艺，在纳米碳质薄膜上预制具有相应图形的保护性图层，然后采用臭氧进行氧化处理，以绝缘或去除未被保护的部分，被保护的部分则仍然保留原来性质，从而得到具有相应图案的纳米碳质薄膜，实现了纳米碳质薄膜的图形化。本发明易于操作，与传统的集成电路工艺相兼容，解决了现有图形化技术中需要真空系统，设备复杂并且耗时等问题。