专利详情

专利名称	一种极低温下半导体量子点低噪测量系统
申请号	CN201310125176.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103235251A	公开（授权）日	2013.08.07
申请（专利权）人	中国科学技术大学	发明（设计）人	尚汝南;郭国平;李海鸥;曹刚;肖明;郭光灿
主分类号	G01R31/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2006.01)I
专利有效期	一种极低温下半导体量子点低噪测量系统至一种极低温下半导体量子点低噪测量系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种极低温下半导体量子点低噪测量系统，包括：热沉部分、铜粉滤波器和PCB板载滤波器；热沉部分由制冷机PT1层线夹热沉、PT2层线夹热沉、Still层线夹热沉、100mK层线夹热沉和MC层线夹热沉构成；测量和控制线进入热沉部分后依次通过制冷机PT1层线夹热沉、制冷机PT2层线夹热沉、制冷机Still层线夹热沉、制冷机100mK层线夹热沉和制冷机MC层线夹热沉后至制冷机混合室冷板，经过制冷机混合室最后一级冷板后焊接在D型接口上，D型接口与铜粉滤波器的D型接口入口相连；测量和控制线再经过铜粉滤波器后，由铜粉滤波器的D型接口出口离开，通过一段测量和控制线后，排针接口进入PCB板载滤波电路，最后测量和控制线连接到量子点测量样品相应的电极上。本发明降低了热噪声和电路噪声。