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一种氧传感器芯片

  • 申请号:CN201220746845.1
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:赣州虔东稀土集团股份有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所
  • 公开(公开)号:CN203117181U
  • 公开(公开)日:2013.08.07
  • 法律状态:授权
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种氧传感器芯片
申请号 CN201220746845.1 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN203117181U 公开(授权)日 2013.08.07
申请(专利权)人 赣州虔东稀土集团股份有限公司;中国科学院上海硅酸盐研究所 发明(设计)人 谢楠;彭牛生;冯涛;夏金峰
主分类号 G01N33/00(2006.01)I IPC主分类号 G01N33/00(2006.01)I
专利有效期 一种氧传感器芯片 至一种氧传感器芯片 法律状态 授权
说明书摘要 本实用新型氧传感器芯片,涉及一种在表面被覆了保护层的氧传感器芯片。包括保护层(1)、测氧材料(2)及基体(3),所述测氧材料(2)位于基体(3)表面,测氧材料(2)表面被保护层(1)覆盖。本实用新型氧传感器芯片上的保护层(1)、基体(3)以及测氧材料(2)之间有较好的粘结强度和热匹配。本实用新型氧传感器芯片可以在恶劣工况下长期工作,有效延长氧传感器芯片使用寿命。

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