专利详情

专利名称	一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法
申请号	CN201310135986.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103233271A	公开（授权）日	2013.08.07
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郭晓璐;马文全;张艳华
主分类号	C30B29/68(2006.01)I	IPC主分类号	C30B29/68(2006.01)I;C30B19/00(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I
专利有效期	一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法至一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种在GaAs衬底上外延生长InAs/GaSb二类超晶格的方法，包括步骤S1：在半绝缘GaAs衬底上外延生长GaAs缓冲层；步骤S2：在所述GaAs缓冲层上外延生长GaSb缓冲层；步骤S3：在所述GaSb缓冲层上外延生长InAs/GaSb超晶格结构。本发明在所述生长过程中通过控制As、Sb束流比以及InSb界面层的厚度以实现较好的材料质量。本发明通过控制InAs层和GaSb层的厚度比例关系可以实现在不同红外波段的响应，并进一步可以制作多种波段的红外探测器器件。