可变周期多光束干涉光刻的方法
- 申请号:CN201310178623.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院光电技术研究所
- 公开(公开)号:CN103235489A
- 公开(公开)日:2013.08.07
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 可变周期多光束干涉光刻的方法 | ||
| 申请号 | CN201310178623.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103235489A | 公开(授权)日 | 2013.08.07 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明(设计)人 | 方亮;岳衢;邱传凯;罗先刚;张铁军 |
| 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G02B27/09(2006.01)I;G02B26/08(2006.01)I |
| 专利有效期 | 可变周期多光束干涉光刻的方法 至可变周期多光束干涉光刻的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及可变周期多光束干涉光刻的方法,包括激光器输出的激光经整形后由分光元件分为多束对称分布的发散光束;经准直透镜后多束发散光束被准直为多束平行于光轴的平行光束;通过连续变倍扩束镜调节各平行光束离光轴的间距;由聚焦透镜对各光束进行聚焦,在焦面上形成多光束干涉图样;将涂有光刻胶的样片置于聚焦透镜的焦面上实现多光束干涉光刻;调节连续变倍扩束镜改变各光束离光轴的距离,从而改变各光束干涉时的入射角,获得可变周期的多光束干涉光刻;通过承片台在x-y方向对干涉曝光场进行步进扫描拼接获得大面积曝光。本发明图形周期易调节、能实现大面积多光束干涉光刻等优点,用于平板显示、生物传感、太阳能电池及自清洁结构研究领域。 | ||
交易流程
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