专利详情

专利名称	基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器
申请号	CN201310095986.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103227416A	公开（授权）日	2013.07.31
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	渠红伟;郑婉华;张冶金;张建心;刘磊;齐爱谊;王海玲;马绍栋;石岩
主分类号	H01S5/065(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/065(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器至基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器	法律状态	授权
说明书摘要	一种基于正交微纳周期结构选模的可调谐半导体激光器，包括：一衬底；在该衬底上制作有N型纵向微纳周期结构、N型下波导层、有源区、P型上波导层和P型上限制层，该P型上限制层纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的两侧为整体结构，一侧为增益区，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，该横向微纳周期结构中包括多个狭槽，一P型欧姆接触层制作在P型上限制层脊型结构上部的上方，一绝缘层，制作在P型上限制层脊型结构下部的上面和脊形结构上部的一侧面；一P型电极，制作在P型上限制层脊形结构的两侧、绝缘层的上面，其中该脊型结构两侧为整体结构部分，一侧为增益区，位于激光器出光端面一侧，另一侧为吸收区，中间为横向微纳周期结构调谐区，紧挨着增益区。