专利详情

专利名称	一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法
申请号	CN201310123454.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103227230A	公开（授权）日	2013.07.31
申请（专利权）人	中国科学院安徽光学精密机械研究所	发明（设计）人	邵景珍;方晓东;董伟伟;邓赞红;秦娟娟
主分类号	H01L31/101(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法至一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种侧向生长ZnMgO纳米线日盲区紫外探测器及其制备方法。该探测器包括有衬底、衬底上的叉指状ZnO薄膜种子层、蒸镀在ZnO种子层顶部的叉指状金属电极以及在叉指状ZnO薄膜种子层侧面生长的ZnMgO纳米线。本发明中ZnMgO纳米线具有高的比表面积，可以有效实现光生载流子的分离，具有更高的光电流增益，器件制作工艺简单、成本低。