专利详情

专利名称	石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料及其制备方法
申请号	CN201210016257.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103219061A	公开（授权）日	2013.07.24
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	黄富强;周密;毕辉
主分类号	H01B1/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01B1/18(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I
专利有效期	石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料及其制备方法至石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种新型的石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料与制备方法。所述方法包括：将粉体材料经过压片成型，形成多孔基底；并采用在绝缘底衬上直接生长石墨烯的方法得到石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料，该材料具有优良的导电性能。本发明所用陶瓷材料为二氧化硅、三氧化二铝、氮化铝、碳化硅、氧化锆和碳化硼等材料，通过成型方法得到多孔材料；利用化学气相沉积的方法，运用直接在绝缘底衬上生长石墨烯的工艺宏量制备石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料。该石墨烯/多孔陶瓷复合导电材料的制备具有原创性和积极的科学意义，并能应用到光伏、导电、散热等诸多领域。