专利详情

专利名称	低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列
申请号	CN201310106019.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103219650A	公开（授权）日	2013.07.24
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	郑婉华;刘磊;渠红伟;张斯日古楞;王海玲
主分类号	H01S5/22(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/22(2006.01)I
专利有效期	低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列至低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种低发散角近衍射极限输出啁啾光子晶体边发射激光器阵列，包括：N型衬底；形成于该N型衬底之上的N型缓冲层；形成于该N型缓冲层之上的N型啁啾光子晶体波导；形成于该N型啁啾光子晶体波导之上的有源层；形成于该有源层之上的P型限制层；以及形成于该P型限制层之上的P型盖层；其中，对该P型盖层和该P型限制层进行刻蚀在该激光器阵列表面形成一个宽度呈啁啾变化的脊形波导阵列，该脊形波导阵列位于该激光器阵列表面中间部分的是电流注入区，位于该电流注入区两侧的是第一无源损耗区和第二无源损耗区。利用本发明，可在提高边激光器输出功率的同时，降低发散角并滤除高阶模式，实现高功率低发散角近衍射极限激光输出。