专利详情

专利名称	GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法
申请号	CN201310151500.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103219414A	公开（授权）日	2013.07.24
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	赵勇明;董建荣;李奎龙;孙玉润;曾徐路;于淑珍;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/0725(2012.01)I	IPC主分类号	H01L31/0725(2012.01)I;H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/0304(2006.01)I
专利有效期	GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法至GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本申请公开了一种GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结级联太阳电池的制作方法，其特征在于：采用GaAs作为支撑衬底，在其中一面键合一层InP，通过双面生长技术，分别在GaAs衬底上生长与GaAs晶格匹配的GaInP/GaAs双结电池以及在InP层上生长与InP晶格匹配的InGaAsP/InGaAs双结电池，所述InP的厚度为0.5~10μm。本发明提出的四结太阳电池，不但减少InP衬底的消耗，同时还有效解决了生长单片多结级联太阳电池材料的晶格失配问题。实现高电压、低电流输出的四结级联太阳电池，有利于提高对太阳光能量的利用。