一种聚(甲基硅烷-碳硅烷)及其制备方法
- 申请号:CN201310159751.3
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院化学研究所
- 公开(公开)号:CN103214675A
- 公开(公开)日:2013.07.24
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种聚(甲基硅烷-碳硅烷)及其制备方法 | ||
| 申请号 | CN201310159751.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103214675A | 公开(授权)日 | 2013.07.24 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院化学研究所 | 发明(设计)人 | 李永明;王秀军;徐彩虹;曾凡 |
| 主分类号 | C08G77/38(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G77/38(2006.01)I;C08G77/24(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种聚(甲基硅烷-碳硅烷)及其制备方法 至一种聚(甲基硅烷-碳硅烷)及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种聚(甲基硅烷-碳硅烷)及其制备方法。所述聚(甲基硅烷-碳硅烷)共聚物的结构式如式I所示,其中,x=0-0.2,y=0.03-0.2,z=0-0.25;n=10-30;R1为Me,Ph,C2-C8的芳烃或烷烃;R2为Me或H,Y为含有碳碳不饱和键的基团。制备方法如下:在有机溶剂中,使氯硅烷单体混合物与缺量的碱金属发生Wurtz型缩聚反应,合成含Si-Cl键的中间体聚合物;随后通过格氏偶联反应得到含碳碳不饱和键的液态甲基硅烷碳硅烷共聚物。该聚(甲基硅烷碳硅烷)可作为碳化硅陶瓷前驱体,具有陶瓷产率高、存储稳定性好、结构组成可调的优点,可用于做陶瓷涂层和块体材料的前驱体及复合材料的浸渍剂。(式I) | ||
交易流程
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