专利详情

专利名称	一种等离子体沉积及刻蚀系统
申请号	CN201310145946.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103215561A	公开（授权）日	2013.07.24
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	李俊杰;顾长志;李云明;田士兵;李林
主分类号	C23C16/44(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/44(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I
专利有效期	一种等离子体沉积及刻蚀系统至一种等离子体沉积及刻蚀系统	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种等离子体沉积及刻蚀系统，包括：腔体、设置在腔体内的阴极载物台，上栅极，加热装置，其中，还包括用于冷却上栅极的冷却装置；用于为上栅极、加热装置以及加热装置、阴极之间提供偏压的偏压电源。其通过采用多根平行、均匀分布的灯丝作为加热装置，提升了加热效率和加热的稳定性，实现了大面积均匀温度场的分布，为大面积薄膜样品的沉积提供条件；在灯丝的上部设置有上栅极，有利于促进等离子体的形成，降低起辉阈值，通过调节栅极电压，可以通过调节等离子体的浓度从而增加工艺的可控性；在上栅极、阴极和腔体侧壁设置循环水冷系统，保证了装置的稳定性；增加了偏压电源控制系统，保证了系统所需电压的稳定输出，满足刻蚀功能的需要。