专利详情

专利名称	多端口读写的片内存储器
申请号	CN201310140319.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103219037A	公开（授权）日	2013.07.24
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	龙希田;杨杰;石匆;吴南健
主分类号	G11C11/413(2006.01)I	IPC主分类号	G11C11/413(2006.01)I
专利有效期	多端口读写的片内存储器至多端口读写的片内存储器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种多端口读写的片内存储器，包括：依次连接的三级电路结构，第一级电路结构用于输入数据的锁存与存储单元的选通，第二级电路结构用于将数据写入存储单元中并存储起来，第三级电路结构用于存储数据的读出，其中，该第一级电路结构包括写地址译码器，时钟门控逻辑电路，以及数据输入锁存器，其输入端与时钟门控逻辑电路的输出端连接；该第二级电路结构包括多个静态随机存储单元，其输入端分别与写地址译码器和数据输入锁存器的输出端连接；该第三级电路结构包括多路选择器，其输入端与多个静态随机存储单元的各输出端相连；读地址译码器，其输出端分别与多路选择器的输入端连接；数据输出锁存器，其输入端与多路选择器的输出端连接。