专利详情

专利名称	基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法
申请号	CN201210017883.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103219274A	公开（授权）日	2013.07.24
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	张苗;陈达;刘林杰;狄增峰;薛忠营
主分类号	H01L21/762(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/762(2006.01)I
专利有效期	基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法至基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种基于量子阱结构来制备SGOI或sSOI的方法。根据本发明的方法，先在衬底表面形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层后，进行退火处理；接着在已形成的结构表面先低温生长Si1-xGex和/或Si以修复表面，再形成由Si1-xGex/Ge或Si/Si1-xGex形成的量子阱结构的材料层，并进行退火处理，如此重复两三个周期后，再在所形成的结构表面低温生长Si1-xGex/Si的材料层，并采用智能剥离技术将已形成Si1-xGex/Si材料层转移到含氧衬底的含氧层表面，由此可形成高质量的SGOI或sSOI结构。