金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻
- 申请号：CN201310125877.9
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院新疆理化技术研究所
- 公开(公开)号：CN103208341A
- 公开(公开)日：2013.07.17
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 | ||
| 申请号 | CN201310125877.9 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103208341A | 公开（授权）日 | 2013.07.17 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院新疆理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 范艳伟;周步康;陈朝阳;王军华 |
| 主分类号 | H01C7/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01C7/04(2006.01)I |
| 专利有效期 | 金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 至金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻以金和铁的金属盐作为扩散源，采用开管涂源式高温气相扩散的方法，将金和铁两种杂质扩散进N型单晶硅中，利用金和铁在硅中形成补偿能级的特性制备出单晶硅热敏材料，再通过化学镀镍电极、划片、封装制备成高B值单晶硅负温度系数热敏电阻。将得到的热敏电阻进行电学性能测试，其电学参数R25℃=84KΩ-129KΩ，B25℃/50℃=6240K-6680K。 | ||
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