专利详情

专利名称	原子层沉积法制备石墨烯纳米材料电化学传感器的方法
申请号	CN201310125851.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103207222A	公开（授权）日	2013.07.17
申请（专利权）人	中国科学院山西煤炭化学研究所	发明（设计）人	覃勇;张红芳;王桂振;郭玉晶;董川
主分类号	G01N27/26(2006.01)I	IPC主分类号	G01N27/26(2006.01)I;G01N27/30(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/40(2006.01)I
专利有效期	原子层沉积法制备石墨烯纳米材料电化学传感器的方法至原子层沉积法制备石墨烯纳米材料电化学传感器的方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	一种原子层沉积法制备石墨烯纳米材料电化学传感器的方法是将亲水石墨烯氧化物放入原子层沉积设备的反应腔进行TiO2保护膜的沉积，将TiO2纳米包覆的石墨烯氧化物产物还原得到TiO2/石墨烯复合材料，将TiO2/Nafion配制成混合液，将混合溶液滴涂在玻碳电极表面，在红外灯下烘干，得到玻碳电极电化学传感器。本发明制备的电化学传感器具有成本低廉、操作简便、灵敏度高的优点。