专利详情

专利名称	一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法
申请号	CN201210007712.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103205730A	公开（授权）日	2013.07.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	夏洋;饶志鹏;万军;李超波;陈波;刘键;江莹冰;石莎莉;李勇滔
主分类号	C23C16/40(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/40(2006.01)I
专利有效期	一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法至一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及二氧化钛制备的技术领域，具体涉及一种掺氮二氧化钛薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；以氮气为载气向原子层沉积设备反应腔中通入含钛源气体，含钛源气体中的钛原子吸附在硅衬底上；向原子层沉积设备反应腔中通入氮气，同时进行等离子体放电，氮气电离后部分氮原子与部分钛原子形成共价键；向原子层沉积设备反应腔中通入含氧源，未与氮原子反应的钛原子与含氧源中的氧原子形成钛氧键；重复上述步骤即可逐层生长含氮原子的二氧化钛薄膜。本发明利用ALD设备对二氧化钛薄膜进行氮掺杂，能够实现均匀的在整个结构中掺氮，且掺杂后氮元素含量高，性能显著增加。