专利详情

专利名称	一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法
申请号	CN201210007622.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103205806A	公开（授权）日	2013.07.17
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	饶志鹏;万军;夏洋;陈波;李超波;石莎莉;李勇滔;李楠
主分类号	C30B25/02(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/02(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/64(2006.01)I
专利有效期	一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法至一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及氮化碳的制备技术，具体涉及一种单晶立方形氮化碳薄膜的制备方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入包含碳氮元素的第一反应前驱体，碳氮原子在硅衬底表面进行化学吸附；通过氧化反应使硅衬底表面形成羟基结构；羟基结构在高温下脱水形成N-O-C结构；通入第二反应前驱体，通过还原反应还原掉O元素并形成相应的副产物，直到硅衬底表面的碳氮原子完全自发成键；重复上述步骤，即可在衬底表面形成单晶立方形氮化碳薄膜。本发明同时沉积碳氮元素，并利用氢的还原性来实现薄膜的生长，操作简单，转化率高，能耗小，且制得的单晶立方形氮化碳薄膜结构完整。