专利详情

专利名称	一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法
申请号	CN201210006294.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103199026A	公开（授权）日	2013.07.10
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈骁;罗乐;汤佳杰;徐高卫
主分类号	H01L21/60(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/60(2006.01)I;C25D7/12(2006.01)I
专利有效期	一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法至一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种采用非对准键合工艺来制作TSV的电镀方法，其特征是利用晶圆带有两条平行切边的特点，将TSV晶圆与支撑晶圆带有金层的面相对、圆心重合但晶圆不重合后进行Au-Au键合。键合后用铜导电胶带与电镀引线夹具连接实现TSV电镀填充。其工艺步骤为：在已刻蚀出TSV的TSV晶圆的背面和裸支撑晶圆的一面上分别先后溅射一层TiW和Au层；将TSV晶圆的Au层面与裸支撑晶圆的Au层面相对并且完全重合，然后将其中一片晶圆以圆心为中心旋转90度，另一片不动，然后在保证圆心重合后升温加压进行Au-Au键合。然后用铜导电胶带分别贴住露出的四个切边部位的种子层，引到键合晶圆的正面，电镀引线夹具导电胶带接触实现TSV电镀填充，并将导电胶带撕掉去除。