专利详情

专利名称	超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器
申请号	CN201310096102.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103199435A	公开（授权）日	2013.07.10
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	渠红伟;张冶金;张建心;刘磊;齐爱谊;王海玲;马绍栋;石岩;郑婉华
主分类号	H01S5/065(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/065(2006.01)I;H01S5/24(2006.01)I
专利有效期	超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器至超低发散角倾斜光束单纵模人工微结构激光器	法律状态	授权
说明书摘要	一种超低发散角倾斜光束的单纵模人工微结构激光器，包括：一衬底和在衬底上制作的N型下限制层、N型下波导层、有源区、P型上波导层、P型上限制层、P型欧姆接触层、绝缘层，一P型电极制作在绝缘层上；一N型电极，制作在衬底的背面；该P型上限制层的纵向剖面为一脊型结构，脊形结构上部的一侧为整体结构，另一侧为人工微结构，该人工微结构中包括多个狭槽，用于形成电流注入通道和纵向侧向光场限制；其中该脊型结构的整体结构部分为脊型波导增益区，另一侧的人工微结构部分为人工微结构选模区。本发明可增大模场面积，实现超低垂直发散角，改善单模激光器光束质量，提高与光纤或光栅的耦合效率。该激光器只需一次外延和普通光刻技术即可实现单模工作，低制作成本。