用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法
- 申请号：CN201310057280.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103197507A
- 公开(公开)日：2013.07.10
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 | ||
| 申请号 | CN201310057280.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103197507A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 梁平;胡颖;刘俊岐;刘峰奇;王利军;张锦川;王涛;姚丹阳;王占国 |
| 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I |
| 专利有效期 | 用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 至用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种用于超薄半导体芯片接触式曝光的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体芯片；步骤2：取一半导体衬片；步骤3：用粘结剂将半导体芯片和半导体衬片粘接，形成基片；步骤4：将基片进行甩胶处理；步骤5：将基片置于光刻机上，对基片进行接触式曝光，在基片的表面形成图形，完成制备。本发明适用于要求背面出光且需要解理为小管芯的半导体激光器芯片背面接触式曝光的方法。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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