极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法
- 申请号：CN201310102557.1
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院上海光学精密机械研究所
- 公开(公开)号：CN103197503A
- 公开(公开)日：2013.07.10
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法 | ||
| 申请号 | CN201310102557.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103197503A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 刘晓雷;李思坤;王向朝;步扬 |
| 主分类号 | G03F1/72(2012.01)I | IPC主分类号 | G03F1/72(2012.01)I;G03F1/84(2012.01)I;G03F7/20(2006.01)I |
| 专利有效期 | 极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法 至极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 一种极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法，该方法将缺陷多层膜等效为无缺陷平面镜和缺陷平面镜两部分，首先通过薄掩模近似得到掩模吸收层衍射谱，相位补偿后经过缺陷多层膜反射，然后再进行相位补偿，最后通过薄掩模近似和相位补偿，得到极紫外光刻缺陷掩模衍射谱。本发明可以有效的仿真缺陷对掩模成像的影响，并提高了极紫外光刻厚掩模缺陷的仿真速度。 | ||
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