专利详情

专利名称	正装四结太阳电池及其制备方法
申请号	CN201310082859.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103199130A	公开（授权）日	2013.07.10
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	孙玉润;董建荣;李奎龙;曾徐路;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉
主分类号	H01L31/0304(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I
专利有效期	正装四结太阳电池及其制备方法至正装四结太阳电池及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种正装四结太阳电池，包括在GaAs衬底上依次连接的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、GaAs子电池、第三隧道结以及GaInP顶电池，所述GaInP顶电池和所述GaAs衬底上分别设有电极。本发明所有子电池晶格常数与GaAs衬底匹配，降低了生产成本，制备工艺简单。带隙组合为1.90eV、1.42eV、约1.00eV、约0.7eV，具有较高的开路电压，减小了光电转换过程中的热能损失，提高了电池效率。采用正装生长方法生长，避免了倒置生长电池结构需要先与其它支撑衬底材料键合再去除GaAs衬底的复杂工艺，降低了电池的制作难度。