专利详情

专利名称	一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法
申请号	CN201310118141.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103199164A	公开（授权）日	2013.07.10
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	曾建平;闫建昌;王军喜;丛培沛;孙莉莉;董鹏;李晋闽
主分类号	H01L33/10(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/10(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法至一种具有DBR高反射结构的紫外发光二极管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。