一种对InP材料进行减薄和抛光的方法
- 申请号：CN201310068641.6
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN103199014A
- 公开(公开)日：2013.07.10
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种对InP材料进行减薄和抛光的方法 | ||
| 申请号 | CN201310068641.6 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103199014A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 汪宁;苏永波;金智 |
| 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I;B24B37/20(2012.01)I |
| 专利有效期 | 一种对InP材料进行减薄和抛光的方法 至一种对InP材料进行减薄和抛光的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种对InP材料进行减薄和抛光的方法，包括：制作对InP材料进行减薄用的硅片研磨衬垫；利用该硅片研磨衬垫对InP材料进行减薄；对InP材料进行化学机械抛光；对完成化学机械抛光的InP材料进行清洗；以及将清洗后的InP材料放入ICP刻蚀机进行等离子抛光。利用本发明，大大提高了减薄效果，实现了无污染，低损伤，高效率，镜面效果的减薄抛光衬底，解决了InP?MMIC后道的工艺难题。 | ||
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