InSb晶片与Si晶片键合的方法
- 申请号：CN201310109012.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
- 公开(公开)号：CN103199156A
- 公开(公开)日：2013.07.10
- 法律状态：授权
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专利详情
| 专利名称 | InSb晶片与Si晶片键合的方法 | ||
| 申请号 | CN201310109012.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN103199156A | 公开（授权）日 | 2013.07.10 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 彭红玲;郑婉华 |
| 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 专利有效期 | InSb晶片与Si晶片键合的方法 至InSb晶片与Si晶片键合的方法 | 法律状态 | 授权 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种InSb晶片与Si晶片键合的方法。该方法包括：步骤A，将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗，而后用去离子水清洗；步骤B，将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗；步骤C，将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗；步骤E，将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合，而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理，以完成InSb晶片和Si晶片的键合。本发明InSb晶片与Si晶片键合的方法工艺简单，具有较强的实用性。 | ||
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