专利详情

专利名称	全溶液加工多层结构透明导电薄膜及其制备方法
申请号	CN201310066656.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103198884A	公开（授权）日	2013.07.10
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	郭晓阳;刘星元
主分类号	H01B5/14(2006.01)I	IPC主分类号	H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I
专利有效期	全溶液加工多层结构透明导电薄膜及其制备方法至全溶液加工多层结构透明导电薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种全溶液加工多层结构透明导电薄膜及其制备方法，属于导电薄膜材料技术领域，解决了现有技术中单层结构金属纳米线透明导电薄膜粗糙度大、附着力差、稳定性不好，而多层结构透明导电薄膜的制备方法又不利于制备大面积柔性透明导电薄膜，无法工程化的技术问题。本发明的制备方法是以金属氧化物半导体溶胶作为介质层的原材料，以有机溶剂分散的金属纳米线作为金属层的原材料，采用溶液加工方法制备多层结构透明导电薄膜。本发明的制备方法不仅实现了多层结构透明导电薄膜的大面积柔性化生产，且制得的透明导电薄膜附着力好、可见光平均透过率高(81.5%)、表面粗糙度低(2.1nm)、环境稳定性高、光电性能优异。