专利详情

专利名称	一种在GaP表面制备锥状结构的方法
申请号	CN201310093588.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103199161A	公开（授权）日	2013.07.10
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	杨海方;刘哲;顾长志;尹红星;夏晓翔
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I
专利有效期	一种在GaP表面制备锥状结构的方法至一种在GaP表面制备锥状结构的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种在GaP表面制备锥状结构的方法，在GaP样品表面上旋涂光刻胶，利用微、纳米尺度图形制备技术在光刻胶上制备孔状光刻胶阵列图形，得到含有孔状光刻胶阵列图形的样品；利用金属镀膜设备，在含有孔状光刻胶阵列图形的样品上生长一层金属层并溶脱，得到含有金属柱状图形阵列的样品；利用干法刻蚀设备对含有金属柱状图形阵列的GaP样品进行刻蚀，得到具有锥状阵列结构的GaP样品；将具有锥状阵列结构的GaP样品置于金属腐蚀液中清洗，去除表面残留的金属层，在GaP表面得到锥状阵列结构。该锥状阵列结构可用于AlGaInP基红光LED光提取效率的增强。