专利详情

专利名称	用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件
申请号	CN201210004093.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103197484A	公开（授权）日	2013.07.10
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	陈小龙;王顺冲;彭同华;王刚;刘春俊;王文军;金士锋
主分类号	G02F1/355(2006.01)I	IPC主分类号	G02F1/355(2006.01)I;G02F1/39(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I
专利有效期	用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件至用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用4H碳化硅晶体制造的非线性光学器件。该非线性光学晶体用于改变具有特定频率的至少一束激光(12)，产生至少一束不同于所述频率的另一特定频率的激光(16)，所述非线性光学晶体为4H碳化硅晶体(13)。由于4H碳化硅晶体具有很高的激光损伤阈值、较宽的透光范围(0.38-5.9μm及6.6-7.08μm)、较大的二阶非线性光学系数(d15＝6.7pm/V)、较大的双折射、高热导率(490Wm-1K-1)以及高化学稳定性等特点，使得本发明的非线性光学器件在输出高功率、高光束质量的中红外激光方面更好地满足实际应用需求，具有显著地实际应用价值。