一种气体分配器及原子层沉积设备
- 申请号:CN201210001944.1
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号:CN103194736A
- 公开(公开)日:2013.07.10
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种气体分配器及原子层沉积设备 | ||
| 申请号 | CN201210001944.1 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开(公告)号 | CN103194736A | 公开(授权)日 | 2013.07.10 |
| 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 张艳清;夏洋;李超波;万军;吕树玲;陈波;石莎莉;李楠 |
| 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种气体分配器及原子层沉积设备 至一种气体分配器及原子层沉积设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及原子层沉积设备技术领域,具体涉及一种气体分配器及包括该气体分配器的原子层沉积设备。所述气体分配器,包括进气管道、过渡管道和配气盘,所述配气盘固定设置在所述过渡管道的出气口,所述过渡管道的进气口与所述进气管道连接,所述配气盘上有出气孔,所述配气盘的外表面设有倾斜设置的气体导流板。本发明能够实现前躯体完整地覆盖样品表面,而且由于气体具有水平方向的分速度,使覆盖整个基片变得更为快速,很好地提高薄膜均匀性,有效地降低了成本。 | ||
交易流程
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