专利详情

专利名称	金属硫属化物薄膜的制备方法
申请号	CN201310102517.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103194729A	公开（授权）日	2013.07.10
申请（专利权）人	中国科学院物理研究所	发明（设计）人	张广宇;时东霞;张菁
主分类号	C23C16/30(2006.01)I	IPC主分类号	C23C16/30(2006.01)I;C23C16/46(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I
专利有效期	金属硫属化物薄膜的制备方法至金属硫属化物薄膜的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种金属硫属化物薄膜的制备方法，用于用硫族元素源和金属元素源以气相沉积的方式在基片上生长出金属硫属化物薄膜，包括：提供能够分别独立控温的三个温度区域；其中，所述硫族元素源、金属元素源、基片分别放置在所述三个温度区域；控制三个温度区域，使得所述硫族元素源蒸发以产生硫族元素源蒸汽；所述金属元素源蒸发以产生金属元素源蒸汽以及加热所述基片至预定沉积温度；提供载气并使其顺序流过所述三个温度区域，从而将所述硫族元素源蒸汽与所述金属元素源蒸汽载送至基片上沉积并生长形成所述金属硫属化物薄膜。本发明方法简单，制备的薄膜质量较高，避免了繁琐的先期人工引入形核点步骤，有效保证样品的纯度以及表面的清洁。