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一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法

  • 申请号:CN201210001927.8
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
  • 公开(公开)号:CN103194714A
  • 公开(公开)日:2013.07.10
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法
申请号 CN201210001927.8 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN103194714A 公开(授权)日 2013.07.10
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所 发明(设计)人 王文东;黄春;闫坤坤;夏洋
主分类号 C23C4/10(2006.01)I IPC主分类号 C23C4/10(2006.01)I
专利有效期 一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 至一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种等离子喷涂制备碳化硼涂层的方法,包括如下步骤:步骤(1),将碳化硼粉和碳粉均匀混合,将混合后的粉末送入等离子体喷涂设备;步骤(2),对被喷涂的基材表面进行预处理;步骤(3),通过所述等离子体喷涂设备在所述基材表面进行等离子喷涂,制备出碳化硼涂层。本发明使用碳掺杂B4C粉等离子喷涂方法制备涂层,当射流喷出后,石墨粉不仅能优先和氧气发生反应,避免B4C的氧化,而且碳的加入,抑制了B4C的高温分解,可降低甚至防止B4C在高温下的C流失,获得性能良好的B4C涂层,同时,碳掺杂不会在涂层中引入杂质元素,保证了涂层质量,且石墨粉的加入可增加粉的流动性,更有利于喷涂。

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