专利详情

专利名称	一种半导体结构
申请号	CN201190000058.6	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN203038894U	公开（授权）日	2013.07.03
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	发明（设计）人	尹海洲;朱慧珑;骆志炯
主分类号	H01L21/336(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I
专利有效期	一种半导体结构至一种半导体结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供了一种半导体结构，包括SOI衬底、栅极结构、金属侧墙、介质层和接触塞，其中：所述SOI衬底包括SOI层和BOX层；所述栅极结构形成在所述SOI层之上；所述金属侧墙形成在所述栅极结构两侧的所述SOI衬底内，该金属侧墙与所述栅极结构下方的所述SOI层相接触，并延伸至所述BOX层内；所述介质层覆盖所述SOI衬底和所述金属侧墙，所述接触塞贯穿所述介质层并延伸至所述BOX层内，该接触塞与所述金属侧墙相接触；其中，所述栅极结构的上平面与所述接触塞的上平面齐平。本实用新型提供的半导体结构能提升半导体器件的性能和减小加工难度。