专利详情

专利名称	一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法
申请号	CN201110449534.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103187248A	公开（授权）日	2013.07.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	姜海涛;张苗;狄增峰;卞建涛;王曦
主分类号	H01L21/20(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/20(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I
专利有效期	一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法至一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种混合晶向绝缘体上锗晶片及器件的制备方法，通过在绝缘层上形成生长窗口在具有第一晶向的衬底上形成具有第二晶向的全局GOI，然后在具有第二晶向的衬底上形成具有第二晶向的Ge层，以制备出混合晶向绝缘体上锗晶片。在具有（100）晶向的Ge层制备NMOS器件，在具有（110）晶向的Ge层制备PMOS器件，在保证NMOS载流子迁移率的同时，大大地提高了PMOS载流子的迁移率，从而提高器件的整体驱动电流，降低了寄生电容，有利于电路集成度的提高。本发明工艺步骤简单，适用于半导体工业生产。