专利详情

专利名称	轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置
申请号	CN201110447811.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103184512A	公开（授权）日	2013.07.03
申请（专利权）人	上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	刘熙;严成峰;忻隽;孔海宽;肖兵;杨建华;施尔畏
主分类号	C30B23/00(2006.01)I	IPC主分类号	C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I
专利有效期	轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置至轴向温度梯度可调控的碳化硅单晶生长装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温材料(完全贴合整个夹心层)放进坩埚盖的空心层。本发明可以根据轴向温度梯度的大小确定合适保温层的厚度分布，从而实现晶体生长速率可控。