专利详情

专利名称	高深宽比深孔的种子层的制备方法
申请号	CN201110457844.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN103187364A	公开（授权）日	2013.07.03
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	陈骁;罗乐;徐高卫
主分类号	H01L21/768(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/768(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I
专利有效期	高深宽比深孔的种子层的制备方法至高深宽比深孔的种子层的制备方法	法律状态	授权
说明书摘要	本发明涉及一种在高深宽比深孔中制备种子层的方法，包括，提供晶圆，所述晶圆的正面带有深孔；在所述晶圆的正面形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述深孔的底部和侧壁；在所述绝缘层上蒸发沉积阻挡层；以及在所述阻挡层上蒸发沉积种子层。在蒸发沉积所述阻挡层和所述种子层时，加热使所述晶圆达到200℃至250℃，并旋转所述晶圆；在蒸发沉积所述种子层时，采用分步沉积法。根据本发明的制备方法，能够实现深宽比达到10、深度为280um的深孔的种子层连续覆盖，能够对不同尺寸的TSV实现种子层的连续覆盖；并且工艺过程简单，可操作性强；该方法只需一步完成，降低了工艺的时间和成本，适合于工业化生产。