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一种半导体功率器件

  • 申请号:CN201220652041.5
  • 专利类型:实用新型
  • 申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心
  • 公开(公开)号:CN203026509U
  • 公开(公开)日:2013.06.26
  • 法律状态:
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专利详情

专利名称 一种半导体功率器件
申请号 CN201220652041.5 专利类型 实用新型
公开(公告)号 CN203026509U 公开(授权)日 2013.06.26
申请(专利权)人 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 发明(设计)人 褚为利;朱阳军;田晓丽;卢烁今;陆江
主分类号 H01L29/06(2006.01)I IPC主分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I
专利有效期 一种半导体功率器件 至一种半导体功率器件 法律状态
说明书摘要 本实用新型公开了一种半导体功率器件,包括有源区、终端区及位于二者之间的主结,所述终端区包括终端结构,所述有源区包括基区,所述基区、主结、终端结构的掺杂类型相同,所述主结与所述有源区的基区同时形成,所述主结的结深与所述基区的结深相同,所述主结的掺杂浓度与所述基区的掺杂浓度相同,且所述主结的结深小于所述终端结构的结深,所述主结的掺杂浓度小于所述终端结构的掺杂浓度。主结的结深小于终端结构的结深,使主结与终端结构之间的区域能够承受的压降增加,主结的掺杂浓度降低,能够提高一定长度耗尽区承受的压降,这两个方面均能够提高器件的耐压能力,进而减小半导体功率器件的终端面积,降低了器件的生产成本。

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